SK하이닉스와 TSMC의 파트너십: 차세대 HBM과 최첨단 패키징 기술 혁신

[su_heading size=”27″ align=”left” margin=”40″]SK하이닉스와 TSMC, 차세대 기술 협력의 시작[/su_heading]

SK하이닉스는 TSMC와 손을 잡고 차세대 고대역폭 메모리(HBM)와 최첨단 패키징 기술의 발전을 위한 큰 발걸음을 내디뎠습니다. 이번 협력은 양사가 대만 타이베이에서 체결한 기술 협력 양해각서(MOU)에 의해 공식화되었습니다. SK하이닉스와 TSMC는 공동으로 2026년 양산을 목표로 하는 6세대 HBM, 즉 HBM4 개발에 착수할 계획입니다.

[su_heading size=”27″ align=”left” margin=”40″]AI 반도체 시장을 겨냥한 전략[/su_heading]

AI 기술의 급속한 발전과 그에 따른 메모리 수요 증가에 대응하기 위해 SK하이닉스는 TSMC와의 기술 협력을 통해 더욱 고성능화된 메모리 솔루션을 제공하고자 합니다. 특히, NVIDIA와 같은 대형 고객사가 사용하는 GPU용 HBM을 SK하이닉스가 공급하고 TSMC에서 패키징하는 협업 모델을 강화함으로써, 이들 대기업의 첨단 요구사항을 충족시키는 것을 목표로 하고 있습니다.

[su_heading size=”27″ align=”left” margin=”40″]기술 혁신을 위한 전략적 파트너십[/su_heading]

이번 협력은 메모리 성능의 한계를 돌파하고자 하는 SK하이닉스의 야심 찬 계획의 일환입니다. SK하이닉스는 “AI 메모리 글로벌 리더로서, TSMC와의 협력을 통해 HBM 기술의 새로운 혁신을 이끌어낼 것”이라고 밝혔습니다. 양사는 특히 HBM 패키지의 기본 구성 요소인 베이스 다이의 성능 개선에 집중할 예정입니다.

[su_heading size=”27″ align=”left” margin=”40″]베이스 다이의 진화와 HBM4의 전망[/su_heading]

HBM 기술에서 베이스 다이는 D램 코어 다이 위에 쌓이며, 이를 TSV(Through-Silicon Vias) 기술로 수직 연결하여 더 높은 데이터 전송 속도와 용량을 제공합니다. HBM4는 기존 HBM3 대비 두 배에 가까운 성능 향상을 목표로 하며, 이는 더 복잡한 시스템 반도체 기능을 수행할 수 있도록 베이스 다이를 진화시키는 것을 필요로 합니다. 이러한 진화는 기존 D램 공정으로는 도전적인 부분이기에, TSMC의 로직 초미세 선단공정을 활용한 새로운 접근이 요구됩니다.

[su_heading size=”27″ align=”left” margin=”40″]결론: SK하이닉스와 TSMC의 공동 목표[/su_heading]

SK하이닉스와 TSMC의 이번 기술 협력은 반도체 산업에 있어 중대한 발전을 예고합니다. 두 기업의 전문성과 리소스를 결합하여 차세대 HBM 기술을 실현함으로써, AI와 데이터 센터 시장의 깊이 있는 요구에 부응하는 고성능 메모리 솔루션을 제공할 전망입니다. 이번 파트너십은 기술 혁신의 중요한 도약이 될 것이며, 글로벌 메모리 및 패키징 산업의 미래에 큰 영향을 미칠 것입니다.

 

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